深圳市天芯半导体科技有限公司

LM358DR 天芯半导体科技主营系列

类别:集成电路（IC） 放大器类型:通用 压摆率:0.3 V/µs 增益带宽积:700kHz 电流 - 输入偏置:20nA 电压 - 输入失调:3mV

LMV358IDR 原装进口

产品族:线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲器放大器 放大器类型:通用 输出类型:满摆幅 压摆率:1 V/µs 增益带宽积 :1MHz

TLC2272AIDR

电流 - 电源:2.4mA 电压 - 输入失调:300µV 电流 - 输入偏置:1pA 增益带宽积:2.25MHz 压摆率:3.6 V/µs

ULN2003ADR

产品族:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型:7 NPN 达林顿 工作温度:-20°C ~ 70°C（TA） 类别:分立半导体产品

TL431AIDR 原装进口

产品族:PMIC - 电压基准 参考类型 :分流器 输出类型:可调式 电压 - 输出（值/固定）:2.495V 电流 - 输出:100mA

AO4498 天芯半导体科技主营系列

描述:MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC FET 类型:N 沟道 功率耗散（值）:3.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ

AO6405 天芯半导体科技主营系列

FET 类型:P 沟道 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP Vgs（值）:±20V 功率耗散（值）:2W（Ta）

AO4620 天芯半导体科技主营系列

FET 类型:N 和 P 沟道 类别:分立半导体产品 功率 - 值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

AO4448 天芯半导体科技主营系列

FET 类型:N 沟道 漏源电压（Vdss）:80V Vgs（值）:±25V 功率耗散（值）:3.1W（Ta）

AO4838 天芯半导体科技主营系列

FET 类型 :2 个 N 沟道（双） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A 功率 - 值:2W

AO4629 天芯半导体科技主营系列

FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 漏源电压（Vdss）:30V 产品族:晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 值:2W

AO4354 天芯半导体科技主营系列

描述:MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC FET 类型:N 沟道 功率耗散（值）:3.1W（Ta） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）